金属功函数大于半导体功函数。向下弯曲金属功函数小于半导体功函数，这取决于金属(不是你说的电解质，是电极)的功函数和半导体的功函数，这取决于金属(不是你说的电解质，是电极)的功函数和半导体的功函数，功函数也称逸出功或逸出功，是指电子从金属表面逸出时，为克服表面势垒而必须做的功。
1、关于固体物理和半导体物理的几个小问题…
你的问题类似于金属与半导体接触的问题。这取决于金属(不是你说的电解质，是电极)的功函数和半导体的功函数。你的问题类似于金属和半导体接触的问题。这取决于金属(不是你说的电解质，是电极)的功函数和半导体的功函数。如果金属的功函数较大，半导体导带向下弯曲，即能级变小，电子流向界面。如果金属的功函数小，半导体导带向上弯曲形成肖特基接触。
2、逸出功公式是什么?
功函数公式为1/2mv2eUc。当光子频率强度小于等于临界点时，电子动能E1/2mv为0，得到w₀hv。w称为金属电子的功函数，常用单位为电子伏特。它代表了在绝对零度下使金属中能量最大的电子从金属表面逃逸所需的能量。在光电效应中，当外加电压u为0时，电流I不为0。只有施加反向电压，即阴极接电源正极，阳极接电源负极，在光电池的两级形成使电子减速的电场，电流才能为零。
功函数也称逸出功或逸出功，是指电子从金属表面逸出时，为克服表面势垒而必须做的功。常用的单位是电子伏特。功函数公式介绍:光电子出来时会进入电路，但当外电路的电压调整到一定值时，光电子不会进入电路。所以此时电子到负极所做的功。正好等于电子出来的动能。Ek代表光电子出来的动能。e表示电子的电荷量，Uc表示截止电压。
3、半导体物理中的金属半导体接触,怎么看看能带向上弯曲还是向下?
金属功函数大于半导体功函数。向下弯曲金属功函数小于半导体功函数。弯下腰。如果你的意思是半导体与电解质接触，那么能带弯曲与半导体/电解质结有关。对于N型半导体，当其费米能级等于平带势时，半导体和电解质之间没有电荷流动，半导体和电解质接触界面两侧没有多余电荷，所以固液界面的半导体侧不会出现能带弯曲。如果电子从电解质流向半导体(即半导体的费米能级低于电解质中氧化还原对的电势)，此时在固液界面的半导体侧得到一个积累层，界面附近半导体的能带弯曲方向向下。
4、半导体与金属接触,能带的变化
金属功函数:金属逃逸到表面真空所需的最小能量。半导体功函数:由于E0和费米能级之间的电子亲和势差，导带底部的电子逸出体所需的最小能量。WSe2是一种P型半导体。半导体的费米能级高于金属之后，金属和半导体的费米能级是相同的。半导体的导带电子流向金属电荷，在半导体表面形成一个正的空间电荷区(因为电子已经溜走了)，所以半导体表面和内部会有电位差，即表面电位Vs接触电位差分布在空间电荷区和金属半导体表面之间，紧密接触时主要分布在空间电荷区。势垒高度为qVs。
5、不同元素金属单质的电子逸出功是多少?
功函数(×10-19j)cs 3.0 ca 4.3mg 5.9 be 6.2 ti 6.6k 2.25/evna 2.29/evzn 3.38/evw 4.54/evag 4.63/ev我只知道这些。基本上只考虑相对活泼金属的功函数，其他金属需要紫外电磁辐射才有光电效应。功函数(×10-19j)cs 3.0 ca 4.3mg 5.9 be 6.2 ti 6.6k 2.25/evna 2.29/evzn 3.38/evw 4.54/evag 4.63/ev。
6、p型si功函数
1。根据电阻率查找表，掺杂浓度NA2X10^16CM^(3)2 3) 2，根据掺杂浓度查找表，得到半导体的功函数Ws5.00eV3。为了获得肖特基结，P型半导体需要满足Wm。